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GermanyZXM66P03N8TA
元器件型号详细信息
原厂型号
ZXM66P03N8TA
摘要
MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 6.25A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.25A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 5.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
36 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1979 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.56W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
ZXM66P03N8DKR
ZXM66P03N8TR-NDR
ZXM66P03N8CT-NDR
ZXM66P03N8DKRINACTIVE
ZXM66P03N8DKR-ND
ZXM66P03N8TR
ZXM66P03N8CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated ZXM66P03N8TA
相关文档
规格书
1(ZXMN66P03N8)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 产品变更/停产
()
HTML 规格书
1(ZXMN66P03N8)
价格
-
替代型号
型号 : DMP3036SSS-13
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