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GermanyIRL7833PBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRL7833PBF
摘要
MOSFET N-CH 30V 150A TO220AB
详情
通孔 N 通道 30 V 150A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
100
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
Product Status
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.8 毫欧 @ 38A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
47 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4170 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
140W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IRL7833
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
INFINFIRL7833PBF
*IRL7833PBF
2156-IRL7833PBF
SP001550382
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRL7833PBF
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PCN 封装
()
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HTML 规格书
1(IRL7833(L,S))
仿真模型
1(IRL7833LPBF Spice Model)
价格
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