元器件型号详细信息

原厂型号
IPB022N04LGATMA1
摘要
MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 90A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.2 毫欧 @ 90A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 95µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
166 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
13000 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
167W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
IPB022N

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

IPB022N04LGATMA1DKR
IPB022N04L G-ND
SP000391497
IPB022N04L GDKR-ND
IPB022N04LG
IPB022N04L GCT-ND
IPB022N04LGATMA1CT
2156-IPB022N04LGATMA1-ITTR
IFEINFIPB022N04LGATMA1
IPB022N04L GTR-ND
IPB022N04L GDKR
IPB022N04L GCT
IPB022N04L G
IPB022N04LGATMA1TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPB022N04LGATMA1

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1(IPB022N04L G)

价格

-

替代型号

型号 : IRF2804STRLPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 505
单价. : ¥28.30000
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型号 : AUIRF2804STRL
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥43.57000
替代类型. : 类似
型号 : PSMN2R2-40BS,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥10.33834
替代类型. : 类似
型号 : STB270N4F3
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 5,990
单价. : ¥36.73000
替代类型. : 类似
型号 : SQM120N04-1M9_GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥16.76654
替代类型. : 类似
型号 : NP109N04PUG-E1-AY
制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
型号 : STB120N4LF6
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 702
单价. : ¥23.13000
替代类型. : 类似
型号 : IXTA300N04T2
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥41.66700
替代类型. : 类似
型号 : BUK661R9-40C,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 2,235
单价. : ¥26.87000
替代类型. : 类似
型号 : PSMN1R1-40BS,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥27.11000
替代类型. : 类似
型号 : NP110N04PUG-E1-AY
制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
型号 : IXTA270N04T4
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥32.43720
替代类型. : 类似