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Germany2SJ377(TE16R1,NQ)
元器件型号详细信息
原厂型号
2SJ377(TE16R1,NQ)
摘要
MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
详情
表面贴装型 P 通道 60 V 5A（Ta） 20W（Tc） PW-MOLD
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
190 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
630 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
20W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PW-MOLD
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
2SJ377
相关信息
RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2SJ377TE16CT-NDR
2SJ377TE16TR-NDR
2SJ377NQTR
2SJ377 (TE16R1,NQ)
2SJ377TE16R1NQ
2SJ377NQCT
2SJ377NQDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ377(TE16R1,NQ)
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规格书
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1(H440-4L-009P 30/Jan/2015)
HTML 规格书
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EDA 模型
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价格
-
替代型号
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替代类型. : 升级
库存 : 0
单价. : ¥10.02000
替代类型. : 升级
型号 : TJ8S06M3L,LXHQ
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
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型号 : STD15P6F6AG
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