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GermanySCTWA35N65G2VAG
元器件型号详细信息
原厂型号
SCTWA35N65G2VAG
摘要
SICFET N-CH 650V 45A TO247
详情
通孔 N 通道 650 V 45A（Tc） 208W（Tc） TO-247 长引线
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
600
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
-
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
18V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
72毫欧 @ 20A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
73 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
+20V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1370 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
208W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247 长引线
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
SCTWA35
相关信息
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics SCTWA35N65G2VAG
相关文档
规格书
1(SCTWA35N65G2VAG)
EDA 模型
1(SCTWA35N65G2VAG by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-