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GermanyCSD86336Q3DT
元器件型号详细信息
原厂型号
CSD86336Q3DT
摘要
SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL
详情
MOSFET - 阵列 25V 20A（Ta） 6W 表面贴装型 8-VSON（3.3x3.3）
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
6 周
EDA/CAD 模型
标准包装
250
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
逻辑电平栅极，5V 驱动
漏源电压（Vdss）
25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.1 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.9V @ 250µA，1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.8nC @ 45V，7.4nC @ 45V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
494pF @ 12.5V，970pF @ 12.5V
功率 - 最大值
6W
工作温度
-55°C ~ 125°C
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-VSON（3.3x3.3）
基本产品编号
CSD86336Q3
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
296-49054-6
296-49054-1
2156-CSD86336Q3DT-296
296-49054-2
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Texas Instruments CSD86336Q3DT
相关文档
规格书
1(CSD86336Q3D)
制造商产品页面
1(CSD86336Q3DT Specifications)
HTML 规格书
1(CSD86336Q3D)
EDA 模型
1(CSD86336Q3DT by Ultra Librarian)
价格
数量: 12500
单价: $6.23804
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
数量: 6250
单价: $6.4022
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
数量: 2500
单价: $6.64843
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
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数量: 1250
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
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最小包装数量: 250
数量: 500
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
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最小包装数量: 250
数量: 250
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
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最小包装数量: 250
数量: 100
单价: $11.0229
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $13.713
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $15.26
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $11.0229
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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单价: $15.26
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
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