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GermanyEPC2111
元器件型号详细信息
原厂型号
EPC2111
摘要
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
详情
MOSFET - 阵列 30V 16A（Ta） 表面贴装型 模具
原厂/品牌
EPC
原厂到货时间
16 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
EPC
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
GaNFET（氮化镓）
配置
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
230pF @ 15V，590pF @ 15V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
模具
供应商器件封装
模具
基本产品编号
EPC211
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
917-1174-6
917-1174-2
917-1174-1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/EPC EPC2111
相关文档
规格书
1(EPC2111)
视频文件
()
环保信息
1(EPC RoHS & Halogen Cert)
特色产品
1(EPC2111 30 V eGaN® Transistor Half-Bridge)
参考设计库
1(EPC9204: 10A, 0 ~ 20V, Half H-Bridge Driver)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Site Add 28/Aug/2020)
HTML 规格书
1(EPC2111)
EDA 模型
1(EPC2111 by Ultra Librarian)
Forum Discussions
1(What do GaN FETS look like and how do they work?)
价格
数量: 2500
单价: $12.21226
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最小包装数量: 1
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替代型号
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