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元器件型号详细信息
原厂型号
APTSM120AM55CT1AG
摘要
POWER MODULE - SIC
详情
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 74A（Tc） 470W 底座安装 SP1
原厂/品牌
Microsemi Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Microsemi Corporation
系列
-
包装
散装
产品状态
在售
技术
碳化硅（SiC）
配置
2 个 N 通道（双），肖特基
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
74A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 毫欧 @ 40A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
272nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5120pF @ 1000V
功率 - 最大值
470W
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
SP1
供应商器件封装
SP1
基本产品编号
APTSM120
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
APTSM120AM55CT1AG-ND
150-APTSM120AM55CT1AG
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Microsemi Corporation APTSM120AM55CT1AG
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环保信息
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价格
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替代型号
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