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GermanyIRLU3636PBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRLU3636PBF
摘要
MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
详情
通孔 N 通道 60 V 50A（Tc） 143W（Tc） I-PAK
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
75
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
Product Status
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.8 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
49 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3779 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
143W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
I-PAK
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
基本产品编号
IRLU3636
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRLU3636PBF
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特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
()
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013)
PCN 封装
()
PCN 其他
1(Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022)
HTML 规格书
1(IRL(R,U)3636PBF)
仿真模型
1(IRLR_U3636PBF Spice Model)
价格
数量: 10000
单价: $7.92897
包装: 管件
最小包装数量: 1
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数量: 5000
单价: $8.13763
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替代型号
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