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GermanyJANSR2N7389
元器件型号详细信息
原厂型号
JANSR2N7389
摘要
MOSFET P-CH 100V 6.5A TO205AF
详情
通孔 P 通道 100 V 6.5A（Tc） 25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
原厂/品牌
Microsemi Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Microsemi Corporation
系列
Military, MIL-PRF-19500/630
包装
托盘
Product Status
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
350 毫欧 @ 6.5A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
45 nC @ 12 V
Vgs（最大值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
25W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-205AF（TO-39）
封装/外壳
TO-205AF 金属罐
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
JANSR2N7389-ND
150-JANSR2N7389
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Microsemi Corporation JANSR2N7389
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规格书
1(JANSx2N7389)
环保信息
()
HTML 规格书
1(JANSx2N7389)
价格
-
替代型号
-