IPP114N12N3GXKSA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPP114N12N3GXKSA1

摘要

MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3

详情

通孔 N 通道 120 V 75A（Tc） 136W（Tc） PG-TO220-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

50

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

管件

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

120 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

75A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

11.4 毫欧 @ 75A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 83µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

65 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

4310 pF @ 60 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

136W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

PG-TO220-3

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

IPP114

其它名称

IPP114N12N3G

IPP114N12N3 G-ND

IPP114N12N3 G

IPP114N12N3GXKSA1-ND

SP000652740

448-IPP114N12N3GXKSA1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPP114N12N3GXKSA1

价格

数量: 5000

单价: $8.49573
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 2000

单价: $8.82249
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $9.47605
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $11.43658
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $13.9203
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $17.315
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $19.32
包装: 管件
最小包装数量: 1

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制造商 : onsemi
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单价. : ¥28.94000
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制造商 : onsemi
库存 : 27
单价. : ¥20.75000
替代类型. : 类似

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单价. : ¥38.32000
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库存 : 48
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替代类型. : 类似

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库存 : 3,793
单价. : ¥20.19000
替代类型. : 类似

RBB19DHFT RNCF1206BKE36K0 RNC55J2581BSRE8 RN73R1ETTP9760D50 RMM28DRAN

IPP114N12N3GXKSA1

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