元器件型号详细信息

原厂型号
FCH099N65S3_F155
摘要
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
详情
通孔 N 通道 650 V 30A(Tc) 227W(Tc) TO-247-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
onsemi
系列
SuperFET® III
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
99 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
61 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2480 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
227W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
FCH099

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi FCH099N65S3_F155

相关文档

规格书
1(FCH099N65S3)
环保信息
()
特色产品
1(650 V, SuperFET® III MOSFETs)
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
HTML 规格书
1(FCH099N65S3)
EDA 模型
1(FCH099N65S3_F155 by Ultra Librarian)

价格

-

替代型号

型号 : FCH099N65S3-F155
制造商 : onsemi
库存 : 425
单价. : ¥58.99000
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型号 : IXFX48N60Q3
制造商 : IXYS
库存 : 38
单价. : ¥228.32000
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型号 : STW36N60M6
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 78
单价. : ¥58.27000
替代类型. : 类似
型号 : IPW60R125C6FKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 286
单价. : ¥54.06000
替代类型. : 类似
型号 : IXFR64N60Q3
制造商 : IXYS
库存 : 30
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型号 : IXTH32N65X
制造商 : IXYS
库存 : 0
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库存 : 3
单价. : ¥44.76000
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制造商 : IXYS
库存 : 100
单价. : ¥67.42000
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型号 : APT38N60BC6
制造商 : Microchip Technology
库存 : 1
单价. : ¥51.67000
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制造商 : IXYS
库存 : 270
单价. : ¥94.37000
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型号 : TSM60NB099PW C1G
制造商 : Taiwan Semiconductor Corporation
库存 : 2,055
单价. : ¥120.68000
替代类型. : 类似