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GermanyUF3C065080B7S
元器件型号详细信息
原厂型号
UF3C065080B7S
摘要
SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 27A（Tc） 136.4W（Tc） D2PAK-7
原厂/品牌
Qorvo
原厂到货时间
44 周
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
Qorvo
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
27A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
105 毫欧 @ 20A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
23 nC @ 12 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
760 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
136.4W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK-7
封装/外壳
TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
基本产品编号
UF3C065080
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2312-UF3C065080B7STR
2312-UF3C065080B7SCT
2312-UF3C065080B7SDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Qorvo UF3C065080B7S
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规格书
1(UF3C065080B7S)
环保信息
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价格
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
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