English
Spain
Rusia
Italy
GermanyNDD03N80Z-1G
元器件型号详细信息
原厂型号
NDD03N80Z-1G
摘要
MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK
详情
通孔 N 通道 800 V 2.9A（Tc） 96W（Tc） I-Pak
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
75
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.5 欧姆 @ 1.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
440 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
96W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
I-Pak
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
基本产品编号
NDD03
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-NDD03N80Z-1G-ON
ONSONSNDD03N80Z-1G
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NDD03N80Z-1G
相关文档
规格书
1(NDD03N80Z)
环保信息
()
HTML 规格书
1(NDD03N80Z)
价格
-
替代型号
型号 : STD2N80K5
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 3,921
单价. : ¥12.56000
替代类型. : 类似
库存 : 3,921
单价. : ¥12.56000
替代类型. : 类似