元器件型号详细信息

原厂型号
NVB5426NT4G
摘要
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 120A(Tc) 215W(Tc) D²PAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
170 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
5800 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
215W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
NVB542

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi NVB5426NT4G

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规格书
1(NTB,NTP5426N)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 24/Jul/2015)
HTML 规格书
1(NTB,NTP5426N)
EDA 模型
1(NVB5426NT4G by Ultra Librarian)

价格

-

替代型号

型号 : NVB5404NT4G
制造商 : onsemi
库存 : 796
单价. : ¥22.90000
替代类型. : 类似
型号 : IPB80N06S2L07ATMA3
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥25.68000
替代类型. : 类似
型号 : STH110N7F6-2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
型号 : STB150NF55T4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥33.63000
替代类型. : 类似
型号 : IPB80N06S405ATMA2
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥17.81000
替代类型. : 类似
型号 : BUK966R5-60E,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥18.21000
替代类型. : 类似
型号 : PSMN7R6-60BS,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥13.04000
替代类型. : 类似
型号 : IPB057N06NATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 950
单价. : ¥13.20000
替代类型. : 类似
型号 : IPB80N06S407ATMA2
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥14.07000
替代类型. : 类似
型号 : BUK969R0-60E,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥15.42000
替代类型. : 类似
型号 : AOB2606L
制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 0
单价. : ¥7.36240
替代类型. : 类似