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元器件型号详细信息
原厂型号
IPD30N06S4L23ATMA2
摘要
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO252-3-11
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
26 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
23 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
21 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1560 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
36W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3-11
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IPD30N06
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPD30N06S4L23ATMA2DKR
SP001028638
IPD30N06S4L23ATMA2TR
2156-IPD30N06S4L23ATMA2
INFINFIPD30N06S4L23ATMA2
IPD30N06S4L23ATMA2CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD30N06S4L23ATMA2
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1(IPD30N06S4L-23)
EDA 模型
1(IPD30N06S4L23ATMA2 by Ultra Librarian)
仿真模型
1(Modelle OptiMOS-T2 60V Spice Model)
价格
数量: 25000
单价: $2.56721
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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型号 : AOD442
制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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