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元器件型号详细信息
原厂型号
CSD86350Q5DT
摘要
25V POWERBLOCK N CH MOSFET
详情
MOSFET - 阵列 25V 40A（Ta） 13W（Ta） 表面贴装型 8-LSON（5x6）
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
6 周
EDA/CAD 模型
标准包装
250
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
40A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5 毫欧 @ 25A，5V，1.1 毫欧 @ 25A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA，1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10.7nC @ 4.5V，25nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1870pF @ 12.5V，4000pF @ 12.5V
功率 - 最大值
13W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerLDFN
供应商器件封装
8-LSON（5x6）
基本产品编号
CSD86350
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Texas Instruments CSD86350Q5DT
相关文档
规格书
1(CSD86350Q5D)
参考设计库
1(CSD86350Q5DEVM-604: 1.2V @ 25A, 8 ~ 13V in)
制造商产品页面
1(CSD86350Q5DT Specifications)
EDA 模型
1(CSD86350Q5DT by Ultra Librarian)
价格
数量: 6250
单价: $11.94498
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
数量: 2500
单价: $12.41159
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
数量: 1250
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
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最小包装数量: 250
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
替代型号
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