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GermanySIDR610DP-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SIDR610DP-T1-GE3
摘要
MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK
详情
表面贴装型 N 通道 200 V 8.9A（Ta），39.6A（Tc） 6.25W（Ta），125W（Tc） PowerPAK® SO-8DC
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
88 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.9A（Ta），39.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
31.9 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
38 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1380 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
6.25W（Ta），125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8DC
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
基本产品编号
SIDR610
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SIDR610DP-T1-GE3TR
SIDR610DP-T1-GE3CT
SIDR610DP-T1-GE3DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SIDR610DP-T1-GE3
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1(SIDR610DP)
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