元器件型号详细信息

原厂型号
NE85633-T1B-A
摘要
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
详情
RF 晶体管 NPN 12V 100mA 7GHz 200mW 表面贴装型 SOT-23-3
原厂/品牌
CEL
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
CEL
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
晶体管类型
NPN
电压 - 集射极击穿(最大值)
12V
频率 - 跃迁
7GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)
1.1dB @ 1GHz
增益
11.5dB
功率 - 最大值
200mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
50 @ 20mA,10V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
100mA
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23-3
基本产品编号
NE85633

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

其它名称

NE85633T1BA
2SC3356-T1B
NE85633B-ACT
NE85633B-ADKR
NE85633B-ATR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极(BJT)/双极射频晶体管/CEL NE85633-T1B-A

相关文档

规格书
1(NE85633, 2SC3356)
PCN 产品变更/停产
()
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab Transfer 25/Feb/2015)

价格

-

替代型号

型号 : BFR360L3E6765XTMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 11,787
单价. : ¥3.10000
替代类型. : 升级
型号 : BFS17NQTA
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥1.72903
替代类型. : 升级
型号 : BF771E6327HTSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 17,096
单价. : ¥3.50000
替代类型. : 类似
型号 : BFP620FH7764XTSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 5,885
单价. : ¥5.56000
替代类型. : 类似
型号 : MRF422
制造商 : MACOM Technology Solutions
库存 : 396
单价. : ¥944.89000
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型号 : MMBT918LT1G
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单价. : ¥2.62000
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型号 : BFR181WH6327XTSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 111,042
单价. : ¥3.26000
替代类型. : 类似
型号 : BFP843FH6327XTSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,606
单价. : ¥4.13000
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型号 : MRF10031
制造商 : MACOM Technology Solutions
库存 : 20
单价. : ¥1,753.68000
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型号 : BFS17NTA
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 55,568
单价. : ¥3.10000
替代类型. : 类似