IPP80R600P7XKSA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPP80R600P7XKSA1

摘要

MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3

详情

通孔 N 通道 800 V 8A（Tc） 60W（Tc） PG-TO220-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

39 周

EDA/CAD 模型

标准包装

50

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™ P7

包装

管件

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

600 毫欧 @ 3.4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 170µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

20 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

570 pF @ 500 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

60W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

PG-TO220-3

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

IPP80R600

其它名称

SP001644610

2156-IPP80R600P7XKSA1

ROCINFIPP80R600P7XKSA1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPP80R600P7XKSA1

价格

数量: 10000

单价: $7.41481
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 5000

单价: $7.60993
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 2000

单价: $7.90264
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $8.48801
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $10.24416
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $12.4689
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $15.51
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $17.25
包装: 管件
最小包装数量: 1

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型号 : IXFP14N60P

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库存 : 0
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库存 : 552
单价. : ¥21.86000
替代类型. : 类似

型号 : FCP600N60Z

制造商 : onsemi
库存 : 402
单价. : ¥20.03000
替代类型. : 类似

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制造商 : IXYS
库存 : 54
单价. : ¥45.47000
替代类型. : 类似

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制造商 : IXYS
库存 : 12
单价. : ¥27.03000
替代类型. : 类似

型号 : IXTP8N65X2M

制造商 : IXYS
库存 : 46
单价. : ¥24.41000
替代类型. : 类似

型号 : IXTP8N70X2

制造商 : IXYS
库存 : 28
单价. : ¥33.94000
替代类型. : 类似

型号 : IXTP14N60P

制造商 : IXYS
库存 : 230
单价. : ¥38.24000
替代类型. : 类似

MPLAD18KP85CAE3 CD4585BEE4 SIT8208AI-3F-28S-32.768000Y FW-20-05-L-D-326-150 SR211A472FAR

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