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GermanyBSC096N10LS5ATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSC096N10LS5ATMA1
摘要
MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8-6
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 40A（Tc） 3W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8-6
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
40 周
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™ 5
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.6 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 36µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14.6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2100 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3W（Ta），83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-6
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
BSC096
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP001861036
448-BSC096N10LS5ATMA1TR
448-BSC096N10LS5ATMA1CT
448-BSC096N10LS5ATMA1DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSC096N10LS5ATMA1
相关文档
规格书
1(BSC096N10LS5)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Mould Chgs 22/Jun/2022)
PCN 组装/来源
1(Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022)
HTML 规格书
1(BSC096N10LS5)
EDA 模型
1(BSC096N10LS5ATMA1 by SnapEDA)
价格
数量: 5000
单价: $9.70625
包装: 卷带（TR）
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