元器件型号详细信息

原厂型号
V60200PGW-M3/4W
摘要
DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO3PW
详情
二极管阵列 1 对共阴极 200 V 30A 通孔 TO-3P-3 整包
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
TMBS®
包装
管件
产品状态
停产
二极管配置
1 对共阴极
技术
肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
200 V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)
30A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.48 V @ 30 A
速度
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
210 µA @ 200 V
工作温度 - 结
-40°C ~ 150°C
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3 整包
供应商器件封装
TO-3PW
基本产品编号
V60200

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080

其它名称

V60200PGW-M3/4WGI
V60200PGW-M3/4W-ND
V60200PGWM34W

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/二极管阵列/Vishay General Semiconductor - Diodes Division V60200PGW-M3/4W

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规格书
1(V60200PGW)
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产品培训模块
1(Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers)
视频文件
1(Functions & Parameters of the “Simplest” Semiconductor)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices 08/Nov/2017)
HTML 规格书
1(V60200PGW)

价格

-

替代型号

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