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GermanyIRL40B212
元器件型号详细信息
原厂型号
IRL40B212
摘要
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
详情
通孔 N 通道 40 V 195A（Tc） 231W（Tc） TO-220AB
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®, StrongIRFET™
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.9 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
137 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
8320 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
231W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IRL40B212
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-IRL40B212
SP001578760
INFIRFIRL40B212
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRL40B212
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PCN 设计/规格
1(Mult Dev Label Chgs Aug/2020)
PCN 组装/来源
1(IRyyy Dev Wafer Fab Chg 6/Jun/2017)
PCN 封装
()
PCN 其他
1(Tube Pkg Qty Standardization 18/Aug/2016)
HTML 规格书
1(IRL40B212, IRL40S212)
仿真模型
1(IRL40S212 Saber File)
价格
-
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