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元器件型号详细信息
原厂型号
BSP135H6327XTSA1
摘要
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
45 欧姆 @ 120mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 94µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.9 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
146 pF @ 25 V
FET 功能
耗尽模式
功率耗散（最大值）
1.8W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT223-4
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号
BSP135
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSP135H6327XTSA1CT
BSP135H6327XTSA1DKR
BSP135H6327XTSA1TR
SP001058812
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSP135H6327XTSA1
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1(BSP135)
EDA 模型
1(BSP135H6327XTSA1 by Ultra Librarian)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 240V, 400V, 600V and 800V N-Channel Spice Model)
价格
数量: 10000
单价: $4.68416
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