元器件型号详细信息

原厂型号
IRFB3407ZPBF
摘要
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
详情
通孔 N 通道 75 V 120A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
100

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6.4 毫欧 @ 75A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
110 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4750 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
230W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IRFB3407

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SP001560202
2156-IRFB3407ZPBF-448

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IRFB3407ZPBF

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PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Add 7/Feb/2022)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IRFB3407ZPbF)

价格

数量: 5000
单价: $8.45124
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $8.7763
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $9.42636
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $11.37662
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $13.8471
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $17.227
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $19.16
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

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