元器件型号详细信息

原厂型号
SIHW47N65E-GE3
摘要
MOSFET N-CH 650V 47A TO247AD
详情
通孔 N 通道 650 V 47A(Tc) 417W(Tc) TO-247AD
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
47A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
72 毫欧 @ 24A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
273 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
5682 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
417W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247AD
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
SIHW47

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SIHW47N65E-GE3

相关文档

规格书
1(SIHW47N65E-GE3)
PCN 组装/来源
1(SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014)
HTML 规格书
1(SIHW47N65E-GE3)

价格

-

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