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GermanyIPS60R650CEAKMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPS60R650CEAKMA1
摘要
CONSUMER
详情
通孔 N 通道 600 V 9.9A（Tj） 82W（Tc） PG-TO251-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.9A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
650 毫欧 @ 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
440 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
82W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO251-3
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
基本产品编号
IPS60R650
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP001471280
2156-IPS60R650CEAKMA1
INFINFIPS60R650CEAKMA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPS60R650CEAKMA1
相关文档
规格书
1(IPS60R650CE)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 8/Feb/2022)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Site Chgs 13/Oct/2020)
HTML 规格书
1(IPS60R650CE)
价格
-
替代型号
型号 : IPS60R600PFD7SAKMA1
制造商 : Infineon Technologies
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