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GermanyRQJ0303PGDQA#H6
元器件型号详细信息
原厂型号
RQJ0303PGDQA#H6
摘要
MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 3.3A（Ta） 800mW（Ta） 3-MPAK
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
最后售卖
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
68 毫欧 @ 1.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+10V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
625 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
800mW（Ta）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
3-MPAK
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
RQJ0303
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Renesas Electronics America Inc RQJ0303PGDQA#H6
相关文档
规格书
1(RQJ0303PGDQA)
PCN 封装
1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)
EDA 模型
1(RQJ0303PGDQA#H6 by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : DMP3099L-13
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