English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIPD65R660CFDATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPD65R660CFDATMA1
摘要
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO252-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
最后售卖
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
660 毫欧 @ 2.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
615 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
62.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IPD65R660
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPD65R660CFDATMA1-ND
SP001117748
448-IPD65R660CFDATMA1TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD65R660CFDATMA1
相关文档
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
HTML 规格书
1(IPx65R660CFD)
仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 650V CFD2 Spice Model)
价格
数量: 12500
单价: $6.11141
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 5000
单价: $6.27223
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 2500
单价: $6.51348
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
替代型号
型号 : IPD65R660CFDATMA2
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,500
单价. : ¥13.99000
替代类型. : MFR Recommended
库存 : 2,500
单价. : ¥13.99000
替代类型. : MFR Recommended
型号 : IXTY4N65X2
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥22.02000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥22.02000
替代类型. : 类似
型号 : STD9N60M2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥11.69000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥11.69000
替代类型. : 类似