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元器件型号详细信息
原厂型号
BSC252N10NSFGATMA1
摘要
MOSFET N-CH 100V 7.2A/40A TDSON
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 7.2A（Ta），40A（Tc） 78W（Tc） PG-TDSON-8-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
48 周
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.2A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25.2 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 43µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1100 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
78W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
BSC252
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSC252N10NSF GCT
BSC252N10NSF GDKR
BSC252N10NSFGATMA1CT
BSC252N10NSF G
BSC252N10NSFGATMA1TR
BSC252N10NSFGATMA1DKR
SP000379608
BSC252N10NSF GCT-ND
BSC252N10NSF G-ND
BSC252N10NSF GDKR-ND
BSC252N10NSF GTR-ND
BSC252N10NSF GTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSC252N10NSFGATMA1
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HTML 规格书
1(BSC252N10NSF G)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 100V N-Channel Spice Model)
价格
数量: 10000
单价: $4.27173
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000
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最小包装数量: 5000
数量: 5000
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