English
Spain
Rusia
Italy
GermanyRGT00TS65DGC11
元器件型号详细信息
原厂型号
RGT00TS65DGC11
摘要
650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 85 A 277 W 通孔 TO-247N
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
管件
产品状态
不适用于新设计
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
85 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
150 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，50A
功率 - 最大值
277 W
开关能量
-
输入类型
标准
栅极电荷
94 nC
25°C 时 Td（开/关）值
42ns/137ns
测试条件
400V，50A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
54 ns
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247N
基本产品编号
RGT00
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Rohm Semiconductor RGT00TS65DGC11
相关文档
规格书
()
其他相关文档
()
产品培训模块
1(Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs))
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(DK OBS NOTICE)
HTML 规格书
()
仿真模型
1(RGT00TS65D Spice Model)
价格
数量: 1000
单价: $25.07752
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $29.41764
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $34.5569
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $42.177
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $46.98
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-