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元器件型号详细信息
原厂型号
APT35GN120SG/TR
摘要
IGBT FIELDSTOP LOW FREQUENCY SIN
详情
IGBT NPT，沟槽型场截止 1200 V 84 A 379 W 表面贴装型 D3PAK
原厂/品牌
Microchip Technology
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
400
供应商库存
技术参数
制造商
Microchip Technology
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
IGBT 类型
NPT，沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
84 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
105 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，35A
功率 - 最大值
379 W
开关能量
-，2.315mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
220 nC
25°C 时 Td（开/关）值
24ns/300ns
测试条件
800V，35A，2.2 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
供应商器件封装
D3PAK
基本产品编号
APT35GN120
相关信息
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Microchip Technology APT35GN120SG/TR
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规格书
1(APT35GN120B(G))
环保信息
()
PCN 其他
1(Integration 13/May/2020)
HTML 规格书
1(APT35GN120B(G))
价格
数量: 400
单价: $73.37625
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 400
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 400
替代型号
-