元器件型号详细信息

原厂型号
NTMS4816NR2G
摘要
MOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOIC
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 6.8A(Ta) 780mW(Ta) 8-SOIC
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
10 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
18.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1060 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
780mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
基本产品编号
NTMS4816

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

NTMS4816NR2G-ND
ONSONSNTMS4816NR2G
NTMS4816NR2GOSDKR
NTMS4816NR2GOSCT
NTMS4816NR2GOSTR
2156-NTMS4816NR2G-OS

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi NTMS4816NR2G

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规格书
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1(NTMS48xxNR2G Copper Wire 29/Aug/2008)
PCN 封装
1(Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018)
HTML 规格书
1(NTMS4816N)
EDA 模型
1(NTMS4816NR2G by Ultra Librarian)

价格

数量: 1
单价: $5.49
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $5.49
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

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