元器件型号详细信息

原厂型号
PSMN130-200D,118
摘要
MOSFET N-CH 200V 20A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 200 V 20A(Tc) 150W(Tc) DPAK
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Nexperia USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
卷带(TR)
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
130 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
65 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2470 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
150W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

568-8114-2
568-8114-1
1727-6296-6
1727-6296-2
934055761118
568-8114-6
PSMN130-200D /T3
568-8114-6-ND
568-8114-1-ND
568-8114-2-ND
PSMN130-200D /T3-ND
1727-6296-1
PSMN130-200D,118-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Nexperia USA Inc. PSMN130-200D,118

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规格书
1(PSMN130-200D)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev 31/Dec/2019)
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()
HTML 规格书
1(PSMN130-200D)

价格

-

替代型号

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