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GermanyDMC62D0SVQ-7
元器件型号详细信息
原厂型号
DMC62D0SVQ-7
摘要
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R
详情
MOSFET - 阵列 60V，50V 571mA（Ta），304mA（Ta） 510mW（Ta） 表面贴装型 SOT-563
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
Product Status
allaboutcomponents.com 停止提供
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道互补型
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
60V，50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
571mA（Ta），304mA（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.7 欧姆 @ 500mA，10V，6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.4nC @ 4.5V，0.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
30pF @ 25V，26pF @ 25V
功率 - 最大值
510mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
基本产品编号
DMC62
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
DMC62D0SVQ-7-ND
DMC62D0SVQ-7DITR
DMC62D0SVQ-7DIDKR
DMC62D0SVQ-7DICT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Diodes Incorporated DMC62D0SVQ-7
相关文档
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 设计/规格
1(DM CAT 20-Mar-2022)
PCN 组装/来源
1(DMG/DMN/DMT 02/Mar/2022)
HTML 规格书
1(DMC62D0SVQ)
价格
-
替代型号
-