元器件型号详细信息

原厂型号
TPS1100PWR
摘要
MOSFET P-CH 15V 1.27A 8TSSOP
详情
表面贴装型 P 通道 15 V 1.27A(Ta) 504mW(Ta) 8-TSSOP
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
6 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000

技术参数

制造商
Texas Instruments
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
15 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.27A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.7V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
180 毫欧 @ 1.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.45 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+2V,-15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
504mW(Ta)
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-TSSOP
封装/外壳
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
基本产品编号
TPS1100

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

296-13383-2-NDR
-296-13383-1
2156-TPS1100PWR
-296-13383-1-ND
TPS1100PWRG4
-TPS1100PWRG4-NDR
296-13383-1-NDR
-TPS1100PWR-NDR
TPS1100PWRG4-ND
296-13383-1
296-13383-2
TEXTISTPS1100PWR
296-13383-6-NDR
296-13383-6
-TPS1100PWRG4

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Texas Instruments TPS1100PWR

相关文档

规格书
1(TPS1100, TPS1100Y)
特色产品
1(Power Management)
制造商产品页面
1(TPS1100PWR Specifications)
HTML 规格书
1(TPS1100, TPS1100Y)
EDA 模型
()

价格

数量: 10000
单价: $5.27989
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2000
数量: 6000
单价: $5.48614
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2000
数量: 2000
单价: $5.77488
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2000

替代型号

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