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GermanyIPD036N04LGBTMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPD036N04LGBTMA1
摘要
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.6 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 45µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
78 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6300 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
94W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IPD036N
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPD036N04L GTR-ND
IPD036N04LGBTMA1TR
IPD036N04L GDKR
IPD036N04LG
IPD036N04LGBTMA1DKR
IPD036N04LGBTMA1CT
IPD036N04L G-ND
IPD036N04L GCT-ND
SP000387945
IPD036N04L GCT
IPD036N04L G
IPD036N04L GDKR-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD036N04LGBTMA1
相关文档
规格书
1(IPD036N04L G)
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1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(IPD036N04L EOL 18/Mar/2020)
PCN 组装/来源
1(OptiMOS Assembly Site Add 2/Jan/2018)
PCN 封装
()
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 40V N-Channel Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : IPD036N04LGATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 31,740
单价. : ¥11.61000
替代类型. : 直接
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单价. : ¥11.61000
替代类型. : 直接
型号 : AUIRFR8403
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 88
单价. : ¥14.07000
替代类型. : 类似
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型号 : AUIRFR8403TRL
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥19.16000
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单价. : ¥19.16000
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型号 : SQD100N04-3M6_GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥12.80000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥12.80000
替代类型. : 类似
型号 : DMTH43M8LK3-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 2,500
单价. : ¥7.55000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥7.55000
替代类型. : 类似