元器件型号详细信息

原厂型号
SIA467EDJ-T1-GE3
摘要
MOSFET P-CH 12V 31A PPAK SC70-6
详情
表面贴装型 P 通道 12 V 31A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK® SC-70-6 单
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带(TR)
Product Status
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
31A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
13 毫欧 @ 5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
72 nC @ 8 V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2520 pF @ 6 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.5W(Ta),19W(Tc)
工作温度
-50°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® SC-70-6 单
封装/外壳
PowerPAK® SC-70-6
基本产品编号
SIA467

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SIA467EDJ-T1-GE3CT
SIA467EDJ-T1-GE3DKR
SIA467EDJ-T1-GE3TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SIA467EDJ-T1-GE3

相关文档

规格书
1(SIA467EDJ)
特色产品
1(12 V, -20 V, and -30 V Gen III P-Channel MOSFETs)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018)
PCN 组装/来源
1(Multiple Devices 11/Dec/2015)
HTML 规格书
1(SIA467EDJ)

价格

-

替代型号

型号 : SIA447DJ-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 100,085
单价. : ¥3.82000
替代类型. : 类似
型号 : DMP1022UFDF-7
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 3,840
单价. : ¥4.13000
替代类型. : 类似
型号 : DMP1022UFDF-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥1.37798
替代类型. : 类似
型号 : FDMA905P
制造商 : onsemi
库存 : 16,183
单价. : ¥10.97000
替代类型. : 类似