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GermanyNVMFD6H852NLWFT1G
元器件型号详细信息
原厂型号
NVMFD6H852NLWFT1G
摘要
MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
详情
表面贴装型 N 通道 80 V 7A（Ta），25A（Tc） 3.2W（Ta），38W（Tc） 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
66 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A（Ta），25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25.5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 26µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
521 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
3.2W（Ta），38W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
NVMFD6
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
NVMFD6H852NLWFT1GOSCT
NVMFD6H852NLWFT1GOSDKR
NVMFD6H852NLWFT1GOS
NVMFD6H852NLWFT1GOSTR
NVMFD6H852NLWFT1GOS-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NVMFD6H852NLWFT1G
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环保信息
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