元器件型号详细信息

原厂型号
STP9N60M2
摘要
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220
详情
通孔 N 通道 600 V 5.5A(Tc) 60W(Tc) TO-220
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™ II Plus
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
780 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
10 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
320 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
60W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
STP9N60

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-497-13843-5
497-13843-5

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/STMicroelectronics STP9N60M2

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规格书
1(ST(D,P,U)9N60M2)
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1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
特色产品
1(MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019)
PCN 组装/来源
1(TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013)
HTML 规格书
1(ST(D,P,U)9N60M2)
EDA 模型
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价格

数量: 10000
单价: $4.99081
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 5000
单价: $5.18577
包装: 管件
最小包装数量: 1
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