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GermanyNVB6410ANT4G
元器件型号详细信息
原厂型号
NVB6410ANT4G
摘要
MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 76A（Tc） 188W（Tc） D²PAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
76A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
13 毫欧 @ 76A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
120 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4500 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
188W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
NVB641
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NVB6410ANT4G
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规格书
1(NTB6410AN, NTP6410AN)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(1Q2018 Product EOL 31/Mar/2018)
HTML 规格书
1(NTB6410AN, NTP6410AN)
EDA 模型
1(NVB6410ANT4G by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : FDB120N10
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥24.09000
替代类型. : 类似
库存 : 0
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替代类型. : 类似
型号 : NTB6410ANT4G
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥24.80000
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
单价. : ¥24.80000
替代类型. : 参数等效
型号 : IRFS4610TRLPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,600
单价. : ¥24.80000
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库存 : 4,700
单价. : ¥16.85000
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制造商 : Infineon Technologies
库存 : 430
单价. : ¥30.85000
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