IPB80N06S2H5ATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPB80N06S2H5ATMA1

摘要

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

详情

表面贴装型 N 通道 55 V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

Product Status

allaboutcomponents.com 停止提供

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

80A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

5.2 毫欧 @ 80A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 230µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

155 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

4400 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

300W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3-2

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

IPB80N

其它名称

INFINFIPB80N06S2H5ATMA1

SP000218162

IPB80N06S2-H5

IPB80N06S2-H5-ND

IPB80N06S2H5ATMA1TR

2156-IPB80N06S2H5ATMA1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB80N06S2H5ATMA1

价格

-

替代型号

型号 : IPB80N06S2H5ATMA2

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,000
单价. : ¥33.31000
替代类型. : 直接

型号 : STB85NF55T4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥23.21000
替代类型. : 直接

型号 : STB80NF55-06T4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥28.30000
替代类型. : 直接

型号 : STB140NF55T4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 3,199
单价. : ¥29.41000
替代类型. : 直接

型号 : STB130N6F7

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 951
单价. : ¥17.57000
替代类型. : 类似

型号 : IXFA230N075T2

制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥45.85960
替代类型. : 类似

型号 : IXTA140N055T2

制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥21.81200
替代类型. : 类似

型号 : PSMN4R6-60BS,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥16.22000
替代类型. : 类似

型号 : IXFA220N06T3

制造商 : IXYS
库存 : 209
单价. : ¥39.51000
替代类型. : 类似

型号 : IXTA230N075T2-7

制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥50.95520
替代类型. : 类似

AP-GT1-1S-2428/F4C-ID(69)395-028-524-588 6720005291 XC6121C733ER-G 2-817854-2

IPB80N06S2H5ATMA1

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