English
Spain
Rusia
Italy
GermanySPB100N06S2-05
元器件型号详细信息
原厂型号
SPB100N06S2-05
摘要
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
详情
表面贴装型 N 通道 55 V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.7 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
170 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6800 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
SPB100N
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-SPB100N06S2-05-ITTR
SPB100N06S205T
INFINFSPB100N06S2-05
SP000013713
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies SPB100N06S2-05
相关文档
规格书
1(SPP,SPB100N06S2-05)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
HTML 规格书
1(SPP,SPB100N06S2-05)
价格
-
替代型号
型号 : NP89N055PUK-E1-AY
制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 1,580
单价. : ¥17.73000
替代类型. : 类似
库存 : 1,580
单价. : ¥17.73000
替代类型. : 类似
型号 : IXFA230N075T2
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥45.85960
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥45.85960
替代类型. : 类似
型号 : STB150NF55T4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥33.63000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥33.63000
替代类型. : 类似
型号 : PSMN4R6-60BS,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥16.22000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥16.22000
替代类型. : 类似
型号 : FDB045AN08A0
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥30.29000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥30.29000
替代类型. : 类似
型号 : BUK764R0-55B,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 4,510
单价. : ¥24.64000
替代类型. : 类似
库存 : 4,510
单价. : ¥24.64000
替代类型. : 类似
型号 : BUK764R4-60E,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥22.26000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥22.26000
替代类型. : 类似