元器件型号详细信息

原厂型号
EPC2107
摘要
GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
详情
MOSFET - 阵列 100V 1.7A,500mA 表面贴装型 9-BGA(1.35x1.35)
原厂/品牌
EPC
原厂到货时间
16 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
EPC
系列
eGaN®
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
技术
GaNFET(氮化镓)
配置
3 N 沟道(半桥 + 同步自举)
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A,500mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
320 毫欧 @ 2A,5V,3.3 欧姆 @ 2A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 100µA,2.5V @ 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.16nC @ 5V,0.044nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
16pF @ 50V,7pF @ 50V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
9-VFBGA
供应商器件封装
9-BGA(1.35x1.35)
基本产品编号
EPC210

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

917-1168-2
917-1168-1
917-1168-6

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/EPC EPC2107

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()
参考设计库
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PCN 组装/来源
1(Mult Dev Site Add 28/Aug/2020)
PDC 图片(仅限内部)
1(EPC210xENGRT Top View)
HTML 规格书
1(EPC2107)
Forum Discussions
1(What do GaN FETS look like and how do they work?)

价格

数量: 2500
单价: $6.98676
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 1000
单价: $7.50431
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $9.05684
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $11.0233
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $13.714
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $15.26
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最小包装数量: 1

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