元器件型号详细信息

原厂型号
FDB2532-F085
摘要
MOSFET N-CH 150V 79A TO263AB
详情
表面贴装型 N 通道 150 V 79A(Tc) 310W(Tc) D²PAK(TO-263)
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800

技术参数

制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
包装
卷带(TR)
产品状态
最后售卖
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
79A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
16 毫欧 @ 33A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
107 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
5870 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
310W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK(TO-263)
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
FDB2532

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

FDB2532_F085TR
FDB2532_F085TR-ND
FDB2532_F085-ND
FDB2532-F085DKR
FDB2532_F085
FDB2532-F085CT
FDB2532-F085TR
FDB2532_F085CT-ND
FDB2532_F085DKR-ND
FDB2532_F085CT
FDB2532_F085DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi FDB2532-F085

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环保信息
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价格

-

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