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GermanyEFC4618R-P-TR
元器件型号详细信息
原厂型号
EFC4618R-P-TR
摘要
MOSFET 2N-CH EFCP1818
详情
MOSFET - 阵列 1.6W 表面贴装型 EFCP1818-4CC-037
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N 沟道（双）共漏
FET 功能
逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源电压（Vdss）
-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
25.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
-
功率 - 最大值
1.6W
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
4-XFBGA，FCBGA
供应商器件封装
EFCP1818-4CC-037
基本产品编号
EFC4618
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-EFC4618R-P-TR
2156-EFC4618R-P-TR-ONTR-ND
ONSONSEFC4618R-P-TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi EFC4618R-P-TR
相关文档
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices 28/Apr/2017)
HTML 规格书
1(EFC4618R-P)
EDA 模型
1(EFC4618R-P-TR by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : ECH8697R-TL-W
制造商 : onsemi
库存 : 4,574
单价. : ¥4.93000
替代类型. : 类似
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