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GermanyCDBJSC10650-G
元器件型号详细信息
原厂型号
CDBJSC10650-G
摘要
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F
详情
二极管 650 V 10A 通孔 TO-220F
原厂/品牌
Comchip Technology
原厂到货时间
12 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Comchip Technology
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
技术
SiC（Silicon Carbide）Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
650 V
电流 - 平均整流 (Io)
10A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.7 V @ 10 A
速度
无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间 (trr)
0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
100 µA @ 650 V
不同 Vr、F 时电容
710pF @ 0V，1MHz
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-2 整包
供应商器件封装
TO-220F
工作温度 - 结
-55°C ~ 175°C
基本产品编号
CDBJSC10650
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
其它名称
641-1938
-1256-CDBJSC10650-G
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Comchip Technology CDBJSC10650-G
相关文档
规格书
1(CDBJSC10650-G)
环保信息
1(Comchip Technology RoHS Cert)
特色产品
1(SiC Schottky Barrier Diodes)
PCN 设计/规格
1(CDBx 23-May-2022)
HTML 规格书
1(CDBJSC10650-G)
价格
数量: 2000
单价: $19.94058
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $20.99008
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $24.88824
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $29.2362
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $35.686
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $39.75
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
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