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GermanyDMT6009LCT
元器件型号详细信息
原厂型号
DMT6009LCT
摘要
MOSFET N-CH 60V 37.2A TO220AB
详情
通孔 N 通道 60 V 37.2A（Tc） 2.2W（Ta），25W（Tc） TO-220-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
14 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
37.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12 毫欧 @ 13.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
33.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1925 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.2W（Ta），25W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
DMT6009
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMT6009LCT
相关文档
规格书
1(DMT6009LCT)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021)
EDA 模型
1(DMT6009LCT by Ultra Librarian)
价格
数量: 10000
单价: $2.80473
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 5000
单价: $2.91429
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $3.06767
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $3.28681
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $4.1632
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $5.0394
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $6.463
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $7.23
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
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