元器件型号详细信息

原厂型号
NTD60N03-001
摘要
MOSFET N-CH 28V 60A IPAK
详情
通孔 N 通道 28 V 60A(Tc) 75W(Tc) I-PAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
75

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
28 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.5 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
30 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2150 pF @ 24 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
75W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
I-PAK
封装/外壳
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
基本产品编号
NTD60

相关信息

RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

ONSONSNTD60N03-001
2156-NTD60N03-001
NTD60N03-001OS
=NTD60N03
=NTD60N03=001

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi NTD60N03-001

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规格书
1(NTD60N03)
环保信息
1(onsemi RoHS)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 30/Dec/2003)
HTML 规格书
1(NTD60N03)

价格

-

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