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GermanyIRFR120ZPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRFR120ZPBF
摘要
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 8.7A（Tc） 35W（Tc） D-Pak
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
75
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
190 毫欧 @ 5.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
310 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
35W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
*IRFR120ZPBF
IFEINFIRFR120ZPBF
SP001556832
2156-IRFR120ZPBF-IT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFR120ZPBF
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1(Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013)
PCN 封装
()
PCN 其他
1(Tube Pkg Qty Standardization 18/Aug/2016)
PCN 零件状态变更
1(Mult Dev Tube Pkg Disc 12/Jun/2018)
HTML 规格书
1(IRFR120Z, IRFU120Z)
价格
-
替代型号
型号 : IRFR120NTRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 54,933
单价. : ¥8.35000
替代类型. : 直接
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单价. : ¥8.35000
替代类型. : 直接
型号 : IRFR120TRLPBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 12,487
单价. : ¥12.64000
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型号 : HUF76609D3ST
制造商 : onsemi
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单价. : ¥7.71000
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型号 : IRFR120PBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 8,709
单价. : ¥9.78000
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型号 : BUK7275-100A,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 44,937
单价. : ¥9.54000
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型号 : IRFR120TRPBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 1,458
单价. : ¥12.56000
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型号 : STD6NF10T4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 9,659
单价. : ¥9.14000
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型号 : IRFR120TRRPBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥5.35214
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库存 : 0
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型号 : FDD1600N10ALZ
制造商 : onsemi
库存 : 5,228
单价. : ¥8.19000
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型号 : FQD13N10TM
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥6.28000
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